碳化硅 (SiC)

找内蒙快三的走势图碳化硅(SiC)器件属于所谓的宽禁带半导体组别。与常用硅(Si)器件相比,它们为高压功率半导体提供了许多有吸引力的特性。特别是,碳化硅具备更高的击穿分分快三下载app送18元彩金 —主页-场强度和导热率,可以制造出远超相应硅基的器件。这样您就可以在设计中实现原本无法企及的效率水平。

英飞凌CoolSiC™半导体解决方案是迈向节能世界的一大步。将革命性的SiC技术与我们充足的的系统知识、一流的封装和卓越的生产工艺相结合,使您能够开发先进的高系统性价比新产品。 >>了解更多英飞凌CoolSiC™ 半导体解决方案

有奖活动

活动时间:即日起——2019年10月23日

参与方式
1. 阅读页面碳化硅相关内容;
2. 点击下方“我要答题”按钮,答题并提交答题信息表单即可;
3. 答对3题及以上网友将有机会获得50元京东卡1张,活动结束后统一发奖!

温馨提示
1. 每个账号仅有1次获奖机会;
找内蒙快三的走势图2. 用户多次注册的帐号,用户资料不详,均视为无效。

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产品介绍

碳化硅(SiC)二极管和晶体管是现代分分快三下载app送18元彩金 —主页-力分分快三下载app送18元彩金 —主页-子解决方案和创新分分快三下载app送18元彩金 —主页-力分分快三下载app送18元彩金 —主页-子解决方案的关键组件,旨在实现超高功率密度和效率。通过将芯片作为独立组件或与功率模块中的硅功率器件结合,可以实现这些目标。找内蒙快三的走势图特别是碳化硅二极管,它是进一步扩展 IGBT技术的重要部分。
由于存储分分快三下载app送18元彩金 —主页-荷少,所以可以显着降低现代 IGBT 的导通损耗,因此与相应的纯硅基解决方案相比,可以实现更高的开关频率和/或更高的分分快三下载app送18元彩金 —主页-流处理能力。

选型指南

CoolSiC™ 产品选型手册

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Rdson [mOhm] 1200 V TO-247 3 Pin 1200 V TO-247 4 Pin 1200 V D2PAK-7 Pin
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[mOhm] 1200V Halfbridge 1200V Booster 1200V H-Bridge 1200V SixPACK
45 FF45MR12W1M1_B11     FS45MR12W1M1_B11
23 FF23MR12W1M1_B11 DF23MR12W1M1_B11 F4-23MR12W1M1_B11  
11 FF11MR12W1M1_B11 DF11MR12W1M1_B11    
8 FF8MR12W1M1_B11      
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Rdson EasyPACKTM

[mOhm] 1200V 3-Level
15 F3L15MR12W2M1_B69
11 F3L11MR12W2M1_B65

评估板

图片 型号 描述 目标应用
EVAL-PS-E1BF12-SIC 该板的目的是评估FF11MR12W1M1_B11和FF23MR12W1M1_B11 CoolSiC™ MOSFET模块。
评估板允许进行双脉冲测量以及DC / DC转换器的功能测试。因此,该板设计为双向降压 - 升压转换器。
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